DPG60C200QB
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
10
20
[A]
30
40
I
50F
60
70
80
0 200 400 600
30
40
50
IF
=60 A
60
70
1 10 100 1000 10000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 40 80 120 160
Q
0.2
rr
0.4
0.6
Kf
0.8
1.0
1.2
1.4
TVJ
[
-diF/dt [A/μs]
°C]
t[ms]
0 200 400 600
0
100
200
300
400
500
600
0
2
4
6
8
10
12
0 200 400 600
2
4
6
8
10
12
14
16
0 200 400 600
0.1
0.2
0.3
0.4
Qrr
[μC]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
ZthJC
[K/W]
IRM
VFR
tfr
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
-diF/dt [A/μs]
IRM
[A]
trr
[ns]
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
VFR
[V]
0200400600
2
4
J]
6
rec
8
10
12
14
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
IF
=60 A
30 A
15 A
TVJ
= 125°C
VR
=130 V
TVJ
= 125°C
VR
=130V
IF
=60A
30 A
15 A
TVJ
=125°C
VR
= 130 V
30 A
15 A
TVJ
= 125°C
VR
=130 V
IF
= 30 A
Rthi
[K/W]
0.1311
0.1377
0.3468
0.2394
0.095
ti[s]
0.0018
0.002
0.012
0.07
0.345
TVJ
= 125°C
VR
= 130 V
IF
= 15 A
30 A
60 A
TVJ
= 150°C
25°C
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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